TIEMPO DE RECUPERACIÓN EN INVERSA

Existen ciertos datos que normalmente vienen en las hojas de especificaciones de diodo provistas por los fabricantes. Uno de ellos que aún no se ha considerado es el del tiempo de recuperación en inversa, denotado por $t_{rr}$. En el estado de polarización en directa ya antes se demostró que hay una gran cantidad de electrones del material tipo $n$ que avanzan a través del material tipo $p$ y una gran cantidad de huecos en el material tipo $n$, lo cual es un requisito para la conducción. Los electrones en el material tipo $p$ y los huecos que avanzan a través del material tipo $n$ establecen una gran cantidad de portadores minoritarios en cada material. Si el voltaje aplicado se tiene que invertir para establecer una situación de polarización en inversa, de algún modo nos gustaría ver que el diodo cambia instantáneamente del estado de conducción al de no conducción. Sin embargo, por el gran número de portadores minoritarios en cada material, la corriente en el diodo se invierte como se muestra en la figura 1.35 y permanece en este nivel medible durante el intervalo $ts$ (tiempo de almacenamiento) requerido para que los portadores minoritarios regresen a su estado de portadores mayoritarios en el material opuesto. En esencia, el diodo permanece en el estado de cortocircuito con una corriente $I_{inversa}$ determinada por los parámetros de la red. Con el tiempo, cuando esta fase de almacenamiento ha pasado, el nivel de la corriente se reduce al nivel asociado con el estado de no conducción. Este segundo lapso está denotado por $tt$ (intervalo de transición). El tiempo de recuperación en inversa es la suma de estos dos intervalos: $t_{rr}=ts+tt$. Ésta es una consideración importante en aplicaciones de conmutación de alta velocidad. La mayoría de los diodos de conmutación comerciales tienen un $t_{rr}$ en el intervalo de algunos nanosegundos a $1 ms$. Hay unidades disponibles, sin embargo, con un $t_{rr}$ de sólo unos cientos de picosegundos ($10–12s$)